在真空压力下，加在电感线圈的射频电场，使反应室气体发生辉光放电，在辉光发电区域产生大量的电子。这些电子在电场的作用下获得充足的能量，其本身温度很高，它与气体分子相碰撞，使气体分子活化。它们吸附在衬底上，并发生化学反应生成介质膜，副产物从衬底上解吸，随主气流由真空泵抽走，称为等离子体增强化学气相沉(PECVD)。 PECVD开启式管式炉系统由开启式管式炉、高真空分子泵系统、射频电源系统及多通道高精度数字质量流量控制系统组成，是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的理想选择。 | ||
主要功能和特点： 1、PECVD具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等； 2、PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应； 3、借助射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜； 4、高真空系统由双级旋片真空泵和分子泵组成，最高真空可达0.001Pa； 5、数字质量流量控制系统是由多路质量流量计，流量显示仪等组成，实现气体的流量的精密测量和控制； 6、每条气体管路均配备高压逆止阀，保证系统的安全性和连续均匀性； 7、采用KF快速法兰密封，装卸方便快捷； 8、管路采用Swagelok卡套连接，不漏气； 9、超温、过压时，自动切断加热电源及流量计进气，使用安全可靠。 | ||
主要用途： 高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备，生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。 | ||
技术参数： | ||
SKGL-1200 开启式管式炉 | 控温方式 | 采用人工智能调节技术，具有PID调节、自整定功能，并可编制30段升降温程序。 |
加热元件 | 0Cr27Al7Mo2 | |
工作电源 | AC220V 50Hz/60Hz | |
额定功率 | 4kw | |
炉管材质 | 高纯石英管 | |
炉管尺寸 | Φ60/Φ80*1200mm | |
工作温度 | ≤1150℃ | |
最高温度 | 1200℃ | |
恒温精度 | ±1℃ | |
恒温区 | 200mm | |
升温速度 | ≤10℃/min | |
密封方式 | 不锈钢快速法兰挤压密封 | |
ZK-F 分子泵真空系统 | 真空范围 | 0.1-0.001Pa |
极限真空 | 4.0*10^-4Pa | |
产品配置 | 双级旋片真空泵+分子泵 | |
测量方式 | 复合真空计 | |
真空规管 | 电阻规+电离规 | |
冷却方式 | 风冷 | |
工作电源 | AC220V 50/60HZ | |
抽速 | 110L/S | |
射频电源系统 | 射频功率输出范围 | 5~500W |
射频频率 | 13.56MHz±0.005% | |
噪声 | ≤55DB | |
冷却方式 | 风冷 | |
功率温定度 | ± 0.1% | |
HQZ-Ⅳ 混气系统 | 流量规格 | 0－200sccm （可根据客户需要配置） |
线性 | ±1.5%F.S | |
准确度 | ±1.5%F.S | |
重复精度 | ±0.2%F.S. | |
响应时间 | ≤8sec | |
耐压 | 3MPa | |
气路通道 | 4通道（根据客户需求） | |
针阀 | 316不锈钢 | |
管道 | Φ6mm不锈钢管 | |
接口 | SwagelokΦ6mm | |
